● 單源供電
    - 4.5~40V
    - 集成LDO
    - 集成POR、BOR電路（預驅(qū)12V，內(nèi)核1.2V，IO 5V，模擬3.0V）
● 高性能32位定點DSP內(nèi)核
    - 主頻最高100MHz
    - 16×16、32×32 MAC操作
    - 16×16雙MAC操作
    - 哈佛(Harvard)總線結構
    - 快速中斷響應和處理
● 可編程控制律加速單元(CLA)
    - 32位浮點加速運算器
    - 加速代碼與CPU代碼并行執(zhí)行
● 片內(nèi)存儲器資源
    - 18K x 16位SARAM
    - 64K x 16位Flash
    - 8K x 16位BootROM

● 128位安全密鑰

●  ADC

    - 12位SAR，轉(zhuǎn)換速率4MSPS
    - 13通道，帶溫度傳感器通道
    - 輸入范圍0~3V，內(nèi)部基準
● 運算放大器
    - 1個OP，可用于母線電流檢測放大
    - 3個PGA，可用于相電流檢測放大
● 集成三相高、低側(cè)半橋驅(qū)動電路
    - 六路NMOSPre-Driver
    - 柵極驅(qū)動電路高側(cè)最高浮動絕對電壓達到45V
    - 驅(qū)動能力IO+/IO-:+1.8A/-1.5A
● 電壓比較器
    - 3個電壓比較器 外部或內(nèi)置8bitDAC電壓參考，輸出關聯(lián)TZ，支持逐周期封波保護
● 增強型控制外設
    - 3個32位定時/計數(shù)器
    - 5個16位定時/計數(shù)器
    - 2路PWM輸出
    - 1個捕獲單元(HRCAP1)

● 中斷
    - 最多53個由PIE設置的中斷
● 串行通訊外設
    - CAN、SPI
    - 1通道CANFD
    - 1個LIN控制+收發(fā)器
● IO
    - 13個通用IO
● 時鐘
    - 10M片內(nèi)振蕩器
    - 石英晶體振蕩器/外部輸入模式
    - PLL倍頻系數(shù)1x~12x
● 支持WDT
● 支持JTAG在線仿真
    - 分析和斷點功能
    - 基于硬件的實時調(diào)試
● QFN56封裝
● 溫度范圍-40℃~+125℃
● AEC-Q100認證